Дыстрыб'ютар Global Power Technologies Group | Дыстрыбутар электронных кампанентаў Global Power Technologies Group

Global Power Technologies Group: - Global Technologies Group Power, Inc. ( «GPTG»), заснаваны ў 2007 годзе з'яўляецца комплексным развіццём і вытворчай кампаніяй, якая спецыялізуецца на прадукцыю на аснове карбіду крэмнію (SiC) тэхналогіі. Гэтыя прадукты будуць асноватворнымі для сілавы электронікі і энергетычнай прамысловасці ў наступныя гады, калі неабходныя перадавыя тэхналогіі для нізкай кошту, высокай эфектыўнасцю вытворчасці энергіі, пераўтварэння і перадачы.

Запыт Цытаваць Форма >

Спадарожныя тавары

: GSXD060A004S1-D3; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTTKY 45V 60A SOT227; у запасе: 10764 pcs; спампаваць: GSXD060A004S1-D3.pdf; RFQ

: S12Q; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4; у запасе: 18866 pcs; спампаваць: S12Q.pdf; RFQ

: GP2M005A050CG; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK; у запасе: 4547 pcs; спампаваць: GP2M005A050CG.pdf; RFQ

: GP2M004A060PG; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 600V 4A IPAK; у запасе: 81389 pcs; спампаваць: GP2M004A060PG.pdf; RFQ

: GP2M008A060PGH; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK; у запасе: 5108 pcs; спампаваць: GP2M008A060PGH.pdf; RFQ

: GP1M009A060H; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 600V 9A TO220; у запасе: 5781 pcs; спампаваць: GP1M009A060H.pdf; RFQ

: GPA040A120L-ND; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: IGBT 1200V 80A 455W TO264; у запасе: 29660 pcs; спампаваць: GPA040A120L-ND.pdf; RFQ

: FR16BR02; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4; у запасе: 19995 pcs; спампаваць: FR16BR02.pdf; RFQ

: GKR26/12; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4; у запасе: 19390 pcs; спампаваць: GKR26/12.pdf; RFQ

: 1N3209; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 100V 15A DO5; у запасе: 16528 pcs; спампаваць: 1N3209.pdf; RFQ

: GSXD050A004S1-D3; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227; у запасе: 9085 pcs; спампаваць: GSXD050A004S1-D3.pdf; RFQ

: GP3D050A060B; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2; у запасе: 5877 pcs; спампаваць:; RFQ

: GKN26/14; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4; у запасе: 20195 pcs; спампаваць: GKN26/14.pdf; RFQ

: FR40BR02; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP REV 100V 40A DO5; у запасе: 16778 pcs; спампаваць: FR40BR02.pdf; RFQ

: GP2M002A060CG; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK; у запасе: 4109 pcs; спампаваць: GP2M002A060CG.pdf; RFQ

: GP1M003A050PG; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK; у запасе: 5058 pcs; спампаваць: GP1M003A050PG.pdf; RFQ

: 1N3890; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 100V 12A DO4; у запасе: 18745 pcs; спампаваць: 1N3890.pdf; RFQ

: GHIS040A060S-A2; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227; у запасе: 3893 pcs; спампаваць: GHIS040A060S-A2.pdf; RFQ

: GP2M023A050N; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN; у запасе: 5200 pcs; спампаваць: GP2M023A050N.pdf; RFQ

: GSXD080A015S1-D3; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTTKY 150V 80A SOT227; у запасе: 6813 pcs; спампаваць: GSXD080A015S1-D3.pdf; RFQ

: GKN26/12; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4; у запасе: 16792 pcs; спампаваць: GKN26/12.pdf; RFQ

: GPA042A100L-ND; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: IGBT 1000V 60A 463W TO264; у запасе: 33345 pcs; спампаваць: GPA042A100L-ND.pdf; RFQ

: GP1M003A050FG; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F; у запасе: 4033 pcs; спампаваць: GP1M003A050FG.pdf; RFQ

: GHXS010A060S-D4; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SBD SCHOTT 600V 10A SOT227; у запасе: 5192 pcs; спампаваць: GHXS010A060S-D4.pdf; RFQ

: FR6BR05; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4; у запасе: 16360 pcs; спампаваць: FR6BR05.pdf; RFQ

: GHIS080A060S1-E1; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: IGBT 600V 160A SOT227; у запасе: 3744 pcs; спампаваць: GHIS080A060S1-E1.pdf; RFQ

: 1N3767R; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5; у запасе: 14671 pcs; спампаваць: 1N3767R.pdf; RFQ

: GP1M023A050N; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN; у запасе: 6001 pcs; спампаваць: GP1M023A050N.pdf; RFQ

: GP1M008A080H; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 800V 8A TO220; у запасе: 5787 pcs; спампаваць: GP1M008A080H.pdf; RFQ

: FR40G05; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 400V 40A DO5; у запасе: 13832 pcs; спампаваць: FR40G05.pdf; RFQ

: S25D; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 200V 25A DO203AA; у запасе: 15159 pcs; спампаваць: S25D.pdf; RFQ

: GHXS030A120S-D4; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227; у запасе: 1707 pcs; спампаваць: GHXS030A120S-D4.pdf; RFQ

: GB50SLT12-247; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247AC; у запасе: 947 pcs; спампаваць: GB50SLT12-247.pdf; RFQ

: 1N1204A; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4; у запасе: 33303 pcs; спампаваць: 1N1204A.pdf; RFQ

: GP2M005A060HG; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: MOSFET N-CH 600V 4.2A TO220; у запасе: 5085 pcs; спампаваць: GP2M005A060HG.pdf; RFQ

: GDP48Y060B; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTTKY 600V 24A TO247-3; у запасе: 5881 pcs; спампаваць: GDP48Y060B.pdf; RFQ

: FST16020; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE MODULE 20V 160A TO249AB; у запасе: 1894 pcs; спампаваць: FST16020.pdf; RFQ

: FR30B02; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 100V 30A DO5; у запасе: 12592 pcs; спампаваць: FR30B02.pdf; RFQ

: 1N3673A; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4; у запасе: 17502 pcs; спампаваць: 1N3673A.pdf; RFQ

: FR16BR05; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP REV 100V 16A DO4; у запасе: 16618 pcs; спампаваць: FR16BR05.pdf; RFQ

: GSID080A120B1A5; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: SILICON IGBT MODULES; у запасе: 1651 pcs; спампаваць: GSID080A120B1A5.pdf; RFQ

: GCMS004A120S7B1; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL; у запасе: 68 pcs; спампаваць: GCMS004A120S7B1.pdf; RFQ

: FR6B02; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 100V 6A DO4; у запасе: 21702 pcs; спампаваць: FR6B02.pdf; RFQ

: GKR26/04; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4; у запасе: 26308 pcs; спампаваць: GKR26/04.pdf; RFQ

: GCMS020A120B1H1; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1; у запасе: 140 pcs; спампаваць: GCMS020A120B1H1.pdf; RFQ

: FR40J02; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 600V 40A DO5; у запасе: 11695 pcs; спампаваць: FR40J02.pdf; RFQ

: S70B; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 100V 70A DO5; у запасе: 13606 pcs; спампаваць: S70B.pdf; RFQ

: GSXD100A018S1-D3; вытворцы: Global Power Technologies Group; апісанне: DIODE SCHOTTKY 180V 100A SOT227; у запасе: 5757 pcs; спампаваць: GSXD100A018S1-D3.pdf; RFQ

: S85QR; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5; у запасе: 12976 pcs; спампаваць: S85QR.pdf; RFQ

: S25G; вытворцы: GeneSiC Semiconductor; апісанне: DIODE GEN PURP 400V 25A DO203AA; у запасе: 16104 pcs; спампаваць: S25G.pdf; RFQ

Абярыце краіну або рэгіён.

катэгорыя прадукту

Іншыя навіны па тэме

Спадарожныя тавары