0 Item(s)
0 Item(s)
STMicroelectronics
| Частка нумар | STB80NF55L-08-1 | вытворца | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| апісанне | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Свінец / Адпавядае RoHS |
| Даступнае колькасць | 56504 pcs | спецыфікацыя | STB80NF55L-08-1.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Vgs (Макс) | ±16V |
| тэхналогія | MOSFET (Metal Oxide) | Пастаўшчык Камплект прылад | I2PAK |
| серыя | STripFET™ II | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 mOhm @ 40A, 10V |
| Рассейваная магутнасць (макс) | 300W (Tc) | ўпакоўка | Tube |
| Упакоўка / | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | іншыя назвы | 497-12542-5 STB80NF55L-08-1-ND STB80NF55L081 |
| Працоўная тэмпература | 175°C (TJ) | тып ўстаноўкі | Through Hole |
| Вільгаць Узровень адчувальнасці (MSL) | 1 (Unlimited) | Бессвинцовый Статус / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Ўваходная ёмістасць (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V | Зарад засаўкі (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 4.5V |
| тып FET | N-Channel | FET Feature | - |
| Прывад напружання (Макс Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | Drain да крыніцы напружання (VDSS) | 55V |
| Падрабязнае апісанне | N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK | Ток - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
| FEDEX | www.FedEx.com | Ад $ 35,00 базавая плата за дастаўку залежыць ад зоны і краіны. |
|---|---|---|
| DHL | www.DHL.com | Ад $ 35,00 базавая плата за дастаўку залежыць ад зоны і краіны. |
| КБС | www.UPS.com | Ад $ 35,00 базавая плата за дастаўку залежыць ад зоны і краіны. |
| Тратыл | www.TNT.com | Ад $ 35,00 базавая плата за дастаўку залежыць ад зоны і краіны. |
